高通AP拟整合Rx芯片 TI无线充电霸主地位蒙尘

       德州仪器(TI)无线充电晶片霸主地位正遭受应用处理器厂商(AP)威胁。随着高通(Qualcomm)先后宣布加入无线充电联盟(WPC)与电力事业联盟(PMA)后，该公司将无线充电接收器(Rx)整合至处理器的企图心已愈来愈明显，一旦相关产品推出，势将对德州仪器在无线充电晶片的市占率造成不小冲击。

致伸技术平台资深经理丘宏伟表示，未来处理器业者将接收器整合后，势必将造成无线充电晶片市占率排名重新洗牌。

致伸技术平台资深经理丘宏伟表示，从高通目前一次跨足三大无线充电标准阵营的动作，即可看出该公司亟欲掌握每一个标准联盟的*新动态，藉此观察不同标准规格的市场发展走向，以利未来该选择何种标准进行元件整合，并透过此一布局大举挥军无线充电市场，同时争食德州仪器无线充电接收器市场。

据了解，现阶段由于德州仪器的无线充电解决方案整合度较高，因此有近六成的市占率，其余四成则由飞思卡尔、IDT与日系晶片商分食，但未来若高通将接收器整合至应用处理器后，则无线充电接收器市占率势必将重新洗牌，而德州仪器的市场*地位也将面临极大的挑战。

事实上，无线充电接收器是由微控制器(MCU)、电源控制演算法与金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)所组成，从技术角度而言，应用处理器业者将接收器整合为系统单晶片(SoC)是可行方案，但仍有一些技术挑战与风险存在。

富达通无线充电事业部经理詹其哲指出，无线充电晶片的峰值电压*高为20V，远超过处理器可承受的范围，因此处理器业者若没有做好防护措施，当突发性峰值出现时，很可能会烧坏昂贵的应用处理器，且MOSFET现阶段也难以整合至全数位化的主晶片中，因此仍有其技术瓶颈存在。

不过，丘宏伟认为，尽管无线充电电压峰值过高对应用处理器是潜在风险，但随着电源管理晶片(PMIC)的效能日益精进，将足以应付低功率接收器的电压防护需求，而MOSFET亦可外挂至主板上，所以相关技术问题相信不久后即可迎刃而解。

丘宏伟分析，未来接收器整合至应用处理器将是必然趋势，而高通挟行动装置处理器高市占率的优势，不仅可大幅降低接收器成本，且能加速无线充电市场渗透率扩大，为一举数得的市场策略。

值得注意的是，不光是高通打算将无线充电接收器整合至应用处理器，联发科目前也正加紧研发相关解决方案，并积极参与三大标准组织的会议，期盼能抢先布局此一元件整合策略，让中低价智慧型手机与平板电脑使用者也能以*低的成本拥有无线充电功能。